純進(jìn)口HQ graphene 硫化鉿晶體

產(chǎn)品名稱

中文名稱: 純進(jìn)口HQ graphene 硫化鉿晶體

英文名稱：HQ graphene HfS2 (Hafnium Disulfide) Crystal 

產(chǎn)品概述

HfS2是一種間接帶隙為~ 2ev的半導(dǎo)體。預(yù)測(cè)單層二硫化鉿的直接帶隙為~1.2 eV。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起，可以剝離成薄的二維層。HfS2屬于iv族過渡金屬二硫族化合物（TMDC）。在HQ石墨烯中制備的二硫化鉿晶體橫向尺寸為~0.6-0.8 cm，呈六角形，外觀呈紅色透明。

HfS2 is a semiconductor with an indirect band gap of ~2 eV. Single layer Hafnium Disulfide is predicted to have a direct band gap of ~1.2 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. HfS2 belongs to the group-IV transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The Hafnium Disulfide crystals produced at HQ Graphene have a lateral size of ~0.6-0.8 cm, are hexagonal shaped and have a red transparent appearance. 

技術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:6-8mm

產(chǎn)品特點(diǎn)

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type：Synthetic

應(yīng)用領(lǐng)域

硫化鉿晶體因其特殊的結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能，成為傳感器領(lǐng)域的有力候選材料。它可以用于制造氣體傳感器、壓力傳感器和濕度傳感器等。這些傳感器利用了二硫化鉿晶體的高靈敏度和快速響應(yīng)特性，在環(huán)境監(jiān)測(cè)和工業(yè)自動(dòng)化中有著重要應(yīng)用。

在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域，二硫化鉿納米片被探索用于治療炎癥性腸病。例如，單寧酸封端的二硫化鉿納米片（HfS2@TA）通過液相剝離法制備，顯示出清除活性氧（ROS）和靶向結(jié)腸的能力，這為腫瘤和其他疾病的治療提供了新的思路。

硫化鉿單層是未來(lái)納米電子器件中最有前途的二維材料之一。研究人員正在開發(fā)基于HfS2的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），這種設(shè)備具有超低功耗的特點(diǎn)，并且可以實(shí)現(xiàn)多通道架構(gòu)。這些特性使得HfS2在高性能計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方面具有潛在的應(yīng)用前景。

由于其直接帶隙半導(dǎo)體性質(zhì)，單層二硫化鉿晶體在光電和光電子學(xué)中也有廣泛應(yīng)用。例如，它可以用作激光器和光電探測(cè)器的核心材料，因其優(yōu)異的光學(xué)特性和儲(chǔ)能性能而受到重視。

硫化鉿晶體還可以作為催化劑使用，特別是在高溫條件下。此外，它在能源存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換設(shè)備中的應(yīng)用也正在研究之中，如超級(jí)電容器和鋰離子電池等。